IXBK55N300 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXBK55N300
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 307 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 275 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 335 nC
   Тип корпуса: TO264
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам