IXBK75N170 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBK75N170

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1040 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 160 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF

Encapsulados: TO264

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IXBK75N170 datasheet

..1. Size:179K ixys
ixbk75n170 ixbx75n170.pdf pdf_icon

Preliminary Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBK75N170 Bipolar MOS Transistor IC110 = 75A IXBX75N170 VCE(sat) 3.1V TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G C VGES Continuous 20 V Tab E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (Chip Capabilitt

..2. Size:177K ixys
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0.1. Size:192K ixys
ixbk75n170a.pdf pdf_icon

Advance Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBK75N170A Bipolar MOS Transistor IC90 = 65A IXBX75N170A VCE(sat) 6.00V tfi(typ) = 60ns TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G C VGES Continuous 20 V (TAB) E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C

0.2. Size:194K ixys
ixbk75n170a ixbx75n170a.pdf pdf_icon

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