Справочник IGBT. IXBK75N170

 

IXBK75N170 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBK75N170
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 350 nC
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXBK75N170

 

 

IXBK75N170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  ixys
 ixbk75n170 ixbx75n170.pdf

IXBK75N170 IXBK75N170

Preliminary Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBK75N170Bipolar MOS Transistor IC110 = 75AIXBX75N170VCE(sat) 3.1VTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGCVGES Continuous 20 V TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (Chip Capabilitt

 ..2. Size:177K  ixys
 ixbk75n170.pdf

IXBK75N170 IXBK75N170

Preliminary Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBK75N170Bipolar MOS Transistor IC110 = 75AIXBX75N170VCE(sat) 3.1VTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGCVGES Continuous 20 V TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (Chip Capabilitt

 0.1. Size:192K  ixys
 ixbk75n170a.pdf

IXBK75N170 IXBK75N170

Advance Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBK75N170ABipolar MOS Transistor IC90 = 65AIXBX75N170AVCE(sat) 6.00Vtfi(typ) = 60nsTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGCVGES Continuous 20 V (TAB)EVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C

 0.2. Size:194K  ixys
 ixbk75n170a ixbx75n170a.pdf

IXBK75N170 IXBK75N170

Advance Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBK75N170ABipolar MOS Transistor IC90 = 65AIXBX75N170AVCE(sat) 6.00Vtfi(typ) = 60nsTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGCVGES Continuous 20 V (TAB)EVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C

Другие IGBT... IXBH40N160 , IXBH42N170 , IXBH42N170A , IXBH5N160G , IXBH6N170 , IXBH9N160G , IXBK55N300 , IXBK64N250 , GT60N321 , IXBK75N170A , IXBL64N250 , IXBN42N170A , IXBN75N170 , IXBN75N170A , IXBP5N160G , IXBR42N170 , IXBT10N170 .

 

 
Back to Top