IXBL64N250 Todos los transistores

 

IXBL64N250 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBL64N250
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 116 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 318 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 345 pF
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I5-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXBL64N250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 ixbl64n250.pdf pdf_icon

IXBL64N250

Advance Technical InformationHigh Voltage, High Gain VCES = 2500VIXBL64N250BiMOSFETTM IC110 = 46AVCE(sat) 3.0VMonolithic BipolarMOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 2500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 V GE Isolated TabCVGES Continuous 25 VVGE

 9.1. Size:166K  ixys
 ixbl60n360.pdf pdf_icon

IXBL64N250

Advance Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3600VIXBL60N360High Frequency,IC110 = 36ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 3.4VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 VGECVGES Continuous 20 V Isolated

Otros transistores... IXBH42N170A , IXBH5N160G , IXBH6N170 , IXBH9N160G , IXBK55N300 , IXBK64N250 , IXBK75N170 , IXBK75N170A , IRG4PF50W , IXBN42N170A , IXBN75N170 , IXBN75N170A , IXBP5N160G , IXBR42N170 , IXBT10N170 , IXBT12N300 , IXBT16N170 .

History: DM2G100SH6N | DF160R12W2H3_B11 | 2MBI150L-120 | MMG300D170B | 2MBI225VN-120-50 | 2MBI150L-060 | IXGH40N120A2

 

 
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