IXBL64N250 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBL64N250

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 116 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 318 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 345 pF

Encapsulados: ISOPLUS-I5-PAK

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IXBL64N250 datasheet

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IXBL64N250

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 2500V IXBL64N250 BiMOSFETTM IC110 = 46A VCE(sat) 3.0V Monolithic Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V G E Isolated Tab C VGES Continuous 25 V VGE

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 ixbl60n360.pdf pdf_icon

IXBL64N250

Advance Technical Information High Voltage, VCES = 3600V IXBL60N360 High Frequency, IC110 = 36A BiMOSFETTM Monolithic VCE(sat) 3.4V Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V G E C VGES Continuous 20 V Isolated

Otros transistores... IXBH42N170A, IXBH5N160G, IXBH6N170, IXBH9N160G, IXBK55N300, IXBK64N250, IXBK75N170, IXBK75N170A, IKW40N65WR5, IXBN42N170A, IXBN75N170, IXBN75N170A, IXBP5N160G, IXBR42N170, IXBT10N170, IXBT12N300, IXBT16N170