IXBL64N250 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBL64N250

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 116 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 318 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 345 pF

Тип корпуса: ISOPLUS-I5-PAK

 Аналог (замена) для IXBL64N250

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBL64N250 даташит

 ..1. Size:184K  ixys
 ixbl64n250.pdf pdf_icon

IXBL64N250

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 2500V IXBL64N250 BiMOSFETTM IC110 = 46A VCE(sat) 3.0V Monolithic Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V G E Isolated Tab C VGES Continuous 25 V VGE

 9.1. Size:166K  ixys
 ixbl60n360.pdf pdf_icon

IXBL64N250

Advance Technical Information High Voltage, VCES = 3600V IXBL60N360 High Frequency, IC110 = 36A BiMOSFETTM Monolithic VCE(sat) 3.4V Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V G E C VGES Continuous 20 V Isolated

Другие IGBT... IXBH42N170A, IXBH5N160G, IXBH6N170, IXBH9N160G, IXBK55N300, IXBK64N250, IXBK75N170, IXBK75N170A, IKW40N65WR5, IXBN42N170A, IXBN75N170, IXBN75N170A, IXBP5N160G, IXBR42N170, IXBT10N170, IXBT12N300, IXBT16N170