Справочник IGBT. IXBL64N250

 

IXBL64N250 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBL64N250
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 116 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 318 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 345 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 400 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS-I5-PAK
 

 Аналог (замена) для IXBL64N250

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBL64N250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 ixbl64n250.pdf pdf_icon

IXBL64N250

Advance Technical InformationHigh Voltage, High Gain VCES = 2500VIXBL64N250BiMOSFETTM IC110 = 46AVCE(sat) 3.0VMonolithic BipolarMOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 2500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 V GE Isolated TabCVGES Continuous 25 VVGE

 9.1. Size:166K  ixys
 ixbl60n360.pdf pdf_icon

IXBL64N250

Advance Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3600VIXBL60N360High Frequency,IC110 = 36ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 3.4VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 VGECVGES Continuous 20 V Isolated

Другие IGBT... IXBH42N170A , IXBH5N160G , IXBH6N170 , IXBH9N160G , IXBK55N300 , IXBK64N250 , IXBK75N170 , IXBK75N170A , IKW40N65WR5 , IXBN42N170A , IXBN75N170 , IXBN75N170A , IXBP5N160G , IXBR42N170 , IXBT10N170 , IXBT12N300 , IXBT16N170 .

 

 
Back to Top

 


 
.