IXBN75N170 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBN75N170
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 145 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 160 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de IXBN75N170 IGBT
IXBN75N170 datasheet
ixbn75n170.pdf
Preliminary Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBN75N170 Bipolar MOS Transistor IC90 = 75A VCE(sat) 3.1V SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 145 A C IC90
ixbn75n170a.pdf
Preliminary Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBN75N170A Bipolar MOS Transistor IC90 = 42A VCE(sat) 6.00V tfi(typ) = 60ns SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 2
Otros transistores... IXBH6N170 , IXBH9N160G , IXBK55N300 , IXBK64N250 , IXBK75N170 , IXBK75N170A , IXBL64N250 , IXBN42N170A , IXRH40N120 , IXBN75N170A , IXBP5N160G , IXBR42N170 , IXBT10N170 , IXBT12N300 , IXBT16N170 , IXBT16N170A , IXBT20N300 .
Liste
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