Справочник IGBT. IXBN75N170

 

IXBN75N170 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBN75N170
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 145 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 350 nC
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXBN75N170

 

 

IXBN75N170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  ixys
 ixbn75n170.pdf

IXBN75N170 IXBN75N170

Preliminary Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBN75N170Bipolar MOS Transistor IC90 = 75AVCE(sat) 3.1VSOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 1700 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 145 ACIC90

 0.1. Size:187K  ixys
 ixbn75n170a.pdf

IXBN75N170 IXBN75N170

Preliminary Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBN75N170ABipolar MOS Transistor IC90 = 42AVCE(sat) 6.00Vtfi(typ) = 60nsSOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 1700 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 2

Другие IGBT... IXBH6N170 , IXBH9N160G , IXBK55N300 , IXBK64N250 , IXBK75N170 , IXBK75N170A , IXBL64N250 , IXBN42N170A , BT15T120ANF , IXBN75N170A , IXBP5N160G , IXBR42N170 , IXBT10N170 , IXBT12N300 , IXBT16N170 , IXBT16N170A , IXBT20N300 .

 

 
Back to Top