IXBN75N170 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXBN75N170  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 145 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF

Тип корпуса: SOT227B

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXBN75N170

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBN75N170 даташит

 ..1. Size:173K  ixys
 ixbn75n170.pdf pdf_icon

IXBN75N170

Preliminary Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBN75N170 Bipolar MOS Transistor IC90 = 75A VCE(sat) 3.1V SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 145 A C IC90

 0.1. Size:187K  ixys
 ixbn75n170a.pdf pdf_icon

IXBN75N170

Preliminary Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBN75N170A Bipolar MOS Transistor IC90 = 42A VCE(sat) 6.00V tfi(typ) = 60ns SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 2

Другие IGBT... IXBH6N170, IXBH9N160G, IXBK55N300, IXBK64N250, IXBK75N170, IXBK75N170A, IXBL64N250, IXBN42N170A, TGPF30N43P, IXBN75N170A, IXBP5N160G, IXBR42N170, IXBT10N170, IXBT12N300, IXBT16N170, IXBT16N170A, IXBT20N300