IXBP5N160G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBP5N160G
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 68 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5.7 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.9 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de IXBP5N160G IGBT
IXBP5N160G Datasheet (PDF)
ixbp5n160g ixbh5n160g.pdf
IXBP 5N160 GIC25 = 5.7 AHigh VoltageIXBH 5N160 GVCES = 1600 VBIMOSFETTMVCE(sat) = 4.9 Vtf = 70 nsMonolithic Bipolar MOS TransistorCTO-220 AB (IXBP)Preliminary data sheetGCC (TAB)EGTO-247 AD (IXBH)EGCC (TAB)EA = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode IGBTFeaturesSymbol Conditions Maximum Ratings High Voltage BIMOSFETTM- substitute for high v
ixbp5n160g.pdf
IXBP 5N160 GIC25 = 5.7 AHigh VoltageIXBH 5N160 GVCES = 1600 VBIMOSFETTMVCE(sat) = 4.9 Vtf = 70 nsMonolithic Bipolar MOS TransistorCTO-220 AB (IXBP)Preliminary data sheetGCC (TAB)EGTO-247 AD (IXBH)EGCC (TAB)EA = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode IGBTFeaturesSymbol Conditions Maximum Ratings High Voltage BIMOSFETTM- substitute for high v
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History: MMGT50W120XB6C
History: MMGT50W120XB6C
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