Справочник IGBT. IXBP5N160G

 

IXBP5N160G - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBP5N160G
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5.7 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 26 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXBP5N160G

 

 

IXBP5N160G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:24K  ixys
 ixbp5n160g ixbh5n160g.pdf

IXBP5N160G IXBP5N160G

IXBP 5N160 GIC25 = 5.7 AHigh VoltageIXBH 5N160 GVCES = 1600 VBIMOSFETTMVCE(sat) = 4.9 Vtf = 70 nsMonolithic Bipolar MOS TransistorCTO-220 AB (IXBP)Preliminary data sheetGCC (TAB)EGTO-247 AD (IXBH)EGCC (TAB)EA = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode IGBTFeaturesSymbol Conditions Maximum Ratings High Voltage BIMOSFETTM- substitute for high v

 ..2. Size:28K  ixys
 ixbp5n160g.pdf

IXBP5N160G IXBP5N160G

IXBP 5N160 GIC25 = 5.7 AHigh VoltageIXBH 5N160 GVCES = 1600 VBIMOSFETTMVCE(sat) = 4.9 Vtf = 70 nsMonolithic Bipolar MOS TransistorCTO-220 AB (IXBP)Preliminary data sheetGCC (TAB)EGTO-247 AD (IXBH)EGCC (TAB)EA = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode IGBTFeaturesSymbol Conditions Maximum Ratings High Voltage BIMOSFETTM- substitute for high v

Другие IGBT... IXBK55N300 , IXBK64N250 , IXBK75N170 , IXBK75N170A , IXBL64N250 , IXBN42N170A , IXBN75N170 , IXBN75N170A , FGPF4533 , IXBR42N170 , IXBT10N170 , IXBT12N300 , IXBT16N170 , IXBT16N170A , IXBT20N300 , IXBT24N170 , IXBT28N170A .

 

 
Back to Top