IXBP5N160G - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBP5N160G

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5.7 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXBP5N160G

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBP5N160G даташит

 ..1. Size:24K  ixys
 ixbp5n160g ixbh5n160g.pdf pdf_icon

IXBP5N160G

IXBP 5N160 G IC25 = 5.7 A High Voltage IXBH 5N160 G VCES = 1600 V BIMOSFETTM VCE(sat) = 4.9 V tf = 70 ns Monolithic Bipolar MOS Transistor C TO-220 AB (IXBP) Preliminary data sheet G C C (TAB) E G TO-247 AD (IXBH) E G C C (TAB) E A = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode IGBT Features Symbol Conditions Maximum Ratings High Voltage BIMOSFETTM - substitute for high v

 ..2. Size:28K  ixys
 ixbp5n160g.pdf pdf_icon

IXBP5N160G

IXBP 5N160 G IC25 = 5.7 A High Voltage IXBH 5N160 G VCES = 1600 V BIMOSFETTM VCE(sat) = 4.9 V tf = 70 ns Monolithic Bipolar MOS Transistor C TO-220 AB (IXBP) Preliminary data sheet G C C (TAB) E G TO-247 AD (IXBH) E G C C (TAB) E A = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode IGBT Features Symbol Conditions Maximum Ratings High Voltage BIMOSFETTM - substitute for high v

Другие IGBT... IXBK55N300, IXBK64N250, IXBK75N170, IXBK75N170A, IXBL64N250, IXBN42N170A, IXBN75N170, IXBN75N170A, XNF15N60T, IXBR42N170, IXBT10N170, IXBT12N300, IXBT16N170, IXBT16N170A, IXBT20N300, IXBT24N170, IXBT28N170A