IXBT6N170 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBT6N170

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.84 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 59 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 25 pF

Encapsulados: TO268

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IXBT6N170 datasheet

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IXBT6N170

High Voltage, High Gain VCES = 1700V IXBH6N170 BIMOSFETTM Monolithic IXBT6N170 IC90 = 6A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.4V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 12 A TO-268 (IXBT)

 ..2. Size:178K  ixys
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IXBT6N170

High Voltage, High Gain VCES = 1700V IXBH6N170 BIMOSFETTM Monolithic IXBT6N170 IC90 = 6A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.4V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 12 A TO-268 (IXBT)

Otros transistores... IXBT16N170A, IXBT20N300, IXBT24N170, IXBT28N170A, IXBT2N250, IXBT32N300, IXBT42N170, IXBT42N170A, FGPF4533, IXBX25N250, IXBX55N300, IXBX64N250, IXBX75N170, IXBX75N170A, IXDH35N60B, IXDH35N60BD1, IXDP20N60B