IXBT6N170 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXBT6N170
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.84 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 59 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 17 nC
Тип корпуса: TO268
IXBT6N170 Datasheet (PDF)
ixbh6n170 ixbt6n170.pdf
High Voltage, High GainVCES = 1700VIXBH6N170BIMOSFETTM MonolithicIXBT6N170IC90 = 6ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.4VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGVGES Continuous 20 VC (TAB)CEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 12 ATO-268 (IXBT)
ixbt6n170.pdf
High Voltage, High GainVCES = 1700VIXBH6N170BIMOSFETTM MonolithicIXBT6N170IC90 = 6ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.4VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGVGES Continuous 20 VC (TAB)CEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 12 ATO-268 (IXBT)
Другие IGBT... IXBT16N170A , IXBT20N300 , IXBT24N170 , IXBT28N170A , IXBT2N250 , IXBT32N300 , IXBT42N170 , IXBT42N170A , TGAN40N60FD , IXBX25N250 , IXBX55N300 , IXBX64N250 , IXBX75N170 , IXBX75N170A , IXDH35N60B , IXDH35N60BD1 , IXDP20N60B .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2