IXBT6N170 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXBT6N170
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.84 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 59 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXBT6N170
IXBT6N170 Datasheet (PDF)
ixbh6n170 ixbt6n170.pdf
High Voltage, High GainVCES = 1700VIXBH6N170BIMOSFETTM MonolithicIXBT6N170IC90 = 6ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.4VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGVGES Continuous 20 VC (TAB)CEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 12 ATO-268 (IXBT)
ixbt6n170.pdf
High Voltage, High GainVCES = 1700VIXBH6N170BIMOSFETTM MonolithicIXBT6N170IC90 = 6ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.4VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGVGES Continuous 20 VC (TAB)CEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 12 ATO-268 (IXBT)
Другие IGBT... IXBT16N170A , IXBT20N300 , IXBT24N170 , IXBT28N170A , IXBT2N250 , IXBT32N300 , IXBT42N170 , IXBT42N170A , BT15T120ANF , IXBX25N250 , IXBX55N300 , IXBX64N250 , IXBX75N170 , IXBX75N170A , IXDH35N60B , IXDH35N60BD1 , IXDP20N60B .
History: OST160N65H5MF | JT015N120F7PD1E
History: OST160N65H5MF | JT015N120F7PD1E
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet