IXBX25N250 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBX25N250

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 240 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 96 pF

Encapsulados: PLUS247

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IXBX25N250 datasheet

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IXBX25N250

High Voltage, High Gain VCES = 2500V IXBX25N250 BIMOSFETTM Monolithic IC90 = 25A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.3V Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247TM VCES TC = 25 C to 150 C 2500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC = 25 C 55 A C Tab E IC90 TC = 90 C 25 A ICM TC = 2

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IXBX25N250

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBX28N300HV BIMOSFETTM Monolithic IC110 = 28A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 2.7V TO-247PLUS-HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V G E VGES Continuous 20 V Tab C VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 6

Otros transistores... IXBT20N300, IXBT24N170, IXBT28N170A, IXBT2N250, IXBT32N300, IXBT42N170, IXBT42N170A, IXBT6N170, GT30F124, IXBX55N300, IXBX64N250, IXBX75N170, IXBX75N170A, IXDH35N60B, IXDH35N60BD1, IXDP20N60B, IXDP20N60BD1