Справочник IGBT. IXBX25N250

 

IXBX25N250 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBX25N250
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 240 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 96 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 103 nC
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXBX25N250

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBX25N250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ixys
 ixbx25n250.pdf pdf_icon

IXBX25N250

High Voltage, High GainVCES = 2500VIXBX25N250BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 25ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.3VSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS247TMVCES TC = 25C to 150C 2500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C 55 ACTabEIC90 TC = 90C 25 AICM TC = 2

 9.1. Size:201K  ixys
 ixbx28n300hv.pdf pdf_icon

IXBX25N250

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBX28N300HVBIMOSFETTM MonolithicIC110 = 28ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.7VTO-247PLUS-HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VGEVGES Continuous 20 VTabCVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 6

Другие IGBT... IXBT20N300 , IXBT24N170 , IXBT28N170A , IXBT2N250 , IXBT32N300 , IXBT42N170 , IXBT42N170A , IXBT6N170 , GT30F124 , IXBX55N300 , IXBX64N250 , IXBX75N170 , IXBX75N170A , IXDH35N60B , IXDH35N60BD1 , IXDP20N60B , IXDP20N60BD1 .

History: OST160N65H5MF | JT015N120F7PD1E

 

 
Back to Top

 


 
.