IXBX25N250 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBX25N250

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 240 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 96 pF

Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXBX25N250

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBX25N250 даташит

 ..1. Size:163K  ixys
 ixbx25n250.pdf pdf_icon

IXBX25N250

High Voltage, High Gain VCES = 2500V IXBX25N250 BIMOSFETTM Monolithic IC90 = 25A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.3V Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247TM VCES TC = 25 C to 150 C 2500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC = 25 C 55 A C Tab E IC90 TC = 90 C 25 A ICM TC = 2

 9.1. Size:201K  ixys
 ixbx28n300hv.pdf pdf_icon

IXBX25N250

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBX28N300HV BIMOSFETTM Monolithic IC110 = 28A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 2.7V TO-247PLUS-HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V G E VGES Continuous 20 V Tab C VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 6

Другие IGBT... IXBT20N300, IXBT24N170, IXBT28N170A, IXBT2N250, IXBT32N300, IXBT42N170, IXBT42N170A, IXBT6N170, GT30F124, IXBX55N300, IXBX64N250, IXBX75N170, IXBX75N170A, IXDH35N60B, IXDH35N60BD1, IXDP20N60B, IXDP20N60BD1