IXBX55N300 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBX55N300

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 307 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 275 pF

Encapsulados: PLUS247

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IXBX55N300 datasheet

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IXBX55N300

High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBK55N300 BiMOSFETTM IC110 = 55A IXBX55N300 VCE(sat) 3.2V Monolithic Bipolar MOS Transistor TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V E Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 25 V PLUS247 (IXBX) VGEM Transient 35 V IC25 TC = 25 C ( Chip

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IXBX55N300

Advance Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 3600V IXBX50N360HV Bipolar MOS Transistor IC110 = 50A High Voltage, VCE(sat) 2.9V High Frequency TO-247PLUS-HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V E Tab C IC25 TC =

Otros transistores... IXBT24N170, IXBT28N170A, IXBT2N250, IXBT32N300, IXBT42N170, IXBT42N170A, IXBT6N170, IXBX25N250, RJP63K2DPP-M0, IXBX64N250, IXBX75N170, IXBX75N170A, IXDH35N60B, IXDH35N60BD1, IXDP20N60B, IXDP20N60BD1, IXDP35N60B