IXBX55N300 - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги IXBX55N300. Основные параметры


   Наименование: IXBX55N300
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 307 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 275 pF
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXBX55N300

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBX55N300 даташит

 ..1. Size:213K  ixys
 ixbx55n300.pdf pdf_icon

IXBX55N300

High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBK55N300 BiMOSFETTM IC110 = 55A IXBX55N300 VCE(sat) 3.2V Monolithic Bipolar MOS Transistor TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V E Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 25 V PLUS247 (IXBX) VGEM Transient 35 V IC25 TC = 25 C ( Chip

 9.1. Size:215K  ixys
 ixbx50n360hv.pdf pdf_icon

IXBX55N300

Advance Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 3600V IXBX50N360HV Bipolar MOS Transistor IC110 = 50A High Voltage, VCE(sat) 2.9V High Frequency TO-247PLUS-HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V E Tab C IC25 TC =

Другие IGBT... IXBT24N170 , IXBT28N170A , IXBT2N250 , IXBT32N300 , IXBT42N170 , IXBT42N170A , IXBT6N170 , IXBX25N250 , RJP63K2DPP-M0 , IXBX64N250 , IXBX75N170 , IXBX75N170A , IXDH35N60B , IXDH35N60BD1 , IXDP20N60B , IXDP20N60BD1 , IXDP35N60B .

 

 
Back to Top

 


 
.