IXBX64N250 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBX64N250
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 735 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 156 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 318 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 345 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 400 nC
Paquete / Cubierta: PLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXBX64N250 - IGBT
IXBX64N250 Datasheet (PDF)
ixbx64n250.pdf
High Voltage, High Gain VCES = 2500VIXBK64N250BiMOSFETTM IC110 = 64AIXBX64N250VCE(sat) 3.0VMonolithic BipolarMOS TransistorTO-264 (IXBK)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsCEVCES TJ = 25C to 150C 2500 VTabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VVGES Continuous 25 VPLUS247TM (IXBX)VGEM Transient 35 VIC25 TC = 25C (Chip
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Liste
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