IXBX64N250 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBX64N250

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 156 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 318 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 345 pF

Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXBX64N250

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBX64N250 даташит

 ..1. Size:190K  ixys
 ixbx64n250.pdf pdf_icon

IXBX64N250

High Voltage, High Gain VCES = 2500V IXBK64N250 BiMOSFETTM IC110 = 64A IXBX64N250 VCE(sat) 3.0V Monolithic Bipolar MOS Transistor TO-264 (IXBK) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings C E VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V VGES Continuous 25 V PLUS247TM (IXBX) VGEM Transient 35 V IC25 TC = 25 C (Chip

Другие IGBT... IXBT28N170A, IXBT2N250, IXBT32N300, IXBT42N170, IXBT42N170A, IXBT6N170, IXBX25N250, IXBX55N300, FGH40N60UFD, IXBX75N170, IXBX75N170A, IXDH35N60B, IXDH35N60BD1, IXDP20N60B, IXDP20N60BD1, IXDP35N60B, IXDR30N120