Справочник IGBT. IXBX64N250

 

IXBX64N250 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBX64N250
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 156 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 318 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 345 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 400 nC
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXBX64N250

 

 

IXBX64N250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  ixys
 ixbx64n250.pdf

IXBX64N250 IXBX64N250

High Voltage, High Gain VCES = 2500VIXBK64N250BiMOSFETTM IC110 = 64AIXBX64N250VCE(sat) 3.0VMonolithic BipolarMOS TransistorTO-264 (IXBK)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsCEVCES TJ = 25C to 150C 2500 VTabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VVGES Continuous 25 VPLUS247TM (IXBX)VGEM Transient 35 VIC25 TC = 25C (Chip

Другие IGBT... IXBT28N170A , IXBT2N250 , IXBT32N300 , IXBT42N170 , IXBT42N170A , IXBT6N170 , IXBX25N250 , IXBX55N300 , GT30J124 , IXBX75N170 , IXBX75N170A , IXDH35N60B , IXDH35N60BD1 , IXDP20N60B , IXDP20N60BD1 , IXDP35N60B , IXDR30N120 .

 

 
Back to Top