IXBX64N250 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXBX64N250
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 156 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 318 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 345 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 400 nC
   Тип корпуса: PLUS247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам