IXDP20N60BD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXDP20N60BD1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 140 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 32 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 70 nC
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de IXDP20N60BD1 - IGBT
IXDP20N60BD1 Datasheet (PDF)
ixdp20n60bd1.pdf
IXDP 20N60 B VCES = 600 VHigh Voltage IGBTIXDP 20N60 BD1 IC25 = 32 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.2 VHigh Speed,Low Saturation VoltageC CTO-220 ABG GG CEC (TAB)E EG = Gate, E = Emitter IXDP 20N60B IXDP 20N60B D1C = Collector , TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesNPT IGBT technologyVCES TJ = 25C to 150C 600 Vlow switching l
ixdp20n60b.pdf
IXDP 20N60 B VCES = 600 VHigh Voltage IGBTIXDP 20N60 BD1 IC25 = 32 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.2 VHigh Speed,Low Saturation VoltageC CTO-220 ABG GG CEC (TAB)E EG = Gate, E = Emitter IXDP 20N60B IXDP 20N60B D1C = Collector , TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesNPT IGBT technologyVCES TJ = 25C to 150C 600 Vlow switching l
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Liste
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