IXDP20N60BD1 Todos los transistores

 

IXDP20N60BD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXDP20N60BD1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 140 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 32 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXDP20N60BD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  ixys
 ixdp20n60bd1.pdf pdf_icon

IXDP20N60BD1

IXDP 20N60 B VCES = 600 VHigh Voltage IGBTIXDP 20N60 BD1 IC25 = 32 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.2 VHigh Speed,Low Saturation VoltageC CTO-220 ABG GG CEC (TAB)E EG = Gate, E = Emitter IXDP 20N60B IXDP 20N60B D1C = Collector , TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesNPT IGBT technologyVCES TJ = 25C to 150C 600 Vlow switching l

 4.1. Size:277K  ixys
 ixdp20n60b.pdf pdf_icon

IXDP20N60BD1

IXDP 20N60 B VCES = 600 VHigh Voltage IGBTIXDP 20N60 BD1 IC25 = 32 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.2 VHigh Speed,Low Saturation VoltageC CTO-220 ABG GG CEC (TAB)E EG = Gate, E = Emitter IXDP 20N60B IXDP 20N60B D1C = Collector , TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesNPT IGBT technologyVCES TJ = 25C to 150C 600 Vlow switching l

Otros transistores... IXBX25N250 , IXBX55N300 , IXBX64N250 , IXBX75N170 , IXBX75N170A , IXDH35N60B , IXDH35N60BD1 , IXDP20N60B , RJP30H2A , IXDP35N60B , IXDR30N120 , IXDR30N120D1 , IXDR35N60BD1 , IXEH25N120 , IXEH25N120D1 , IXEH40N120 , IXEH40N120D1 .

History: MWI150-12T8T | IXGT20N60B | IXGX120N60C2

 

 
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