IXDP20N60BD1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXDP20N60BD1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 85 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 70 nC
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IXDP20N60BD1
IXDP20N60BD1 Datasheet (PDF)
ixdp20n60bd1.pdf
IXDP 20N60 B VCES = 600 VHigh Voltage IGBTIXDP 20N60 BD1 IC25 = 32 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.2 VHigh Speed,Low Saturation VoltageC CTO-220 ABG GG CEC (TAB)E EG = Gate, E = Emitter IXDP 20N60B IXDP 20N60B D1C = Collector , TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesNPT IGBT technologyVCES TJ = 25C to 150C 600 Vlow switching l
ixdp20n60b.pdf
IXDP 20N60 B VCES = 600 VHigh Voltage IGBTIXDP 20N60 BD1 IC25 = 32 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.2 VHigh Speed,Low Saturation VoltageC CTO-220 ABG GG CEC (TAB)E EG = Gate, E = Emitter IXDP 20N60B IXDP 20N60B D1C = Collector , TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesNPT IGBT technologyVCES TJ = 25C to 150C 600 Vlow switching l
Другие IGBT... IXBX25N250 , IXBX55N300 , IXBX64N250 , IXBX75N170 , IXBX75N170A , IXDH35N60B , IXDH35N60BD1 , IXDP20N60B , MBQ60T65PES , IXDP35N60B , IXDR30N120 , IXDR30N120D1 , IXDR35N60BD1 , IXEH25N120 , IXEH25N120D1 , IXEH40N120 , IXEH40N120D1 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2