IXEH40N120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXEH40N120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Encapsulados: TO247

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IXEH40N120 datasheet

 ..1. Size:195K  ixys
 ixeh40n120 ixeh40n120d1.pdf pdf_icon

IXEH40N120

IXEH 40N120 IXEH 40N120D1 IC25 = 60 A NPT3 IGBT VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.4 V C C TO-247 AD G G G E E C C (TAB) E IXEH 40N120 IXEH 40N120D1 Features IGBT NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V easy paralleling - fast switching VGES 20 V - short tail cur

Otros transistores... IXDP20N60B, IXDP20N60BD1, IXDP35N60B, IXDR30N120, IXDR30N120D1, IXDR35N60BD1, IXEH25N120, IXEH25N120D1, CRG40T60AN3H, IXEH40N120D1, IXEL40N400, IXEN60N120, IXEN60N120D1, IXER20N120, IXER20N120D1, IXER35N120D1, IXER60N120