IXEH40N120 Todos los transistores

 

IXEH40N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXEH40N120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXEH40N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  ixys
 ixeh40n120 ixeh40n120d1.pdf pdf_icon

IXEH40N120

IXEH 40N120IXEH 40N120D1IC25 = 60 ANPT3 IGBTVCES = 1200 VVCE(sat) typ. = 2.4 VC CTO-247 ADG GGEECC (TAB)EIXEH 40N120 IXEH 40N120D1Features IGBT NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V easy paralleling- fast switchingVGES 20 V- short tail cur

Otros transistores... IXDP20N60B , IXDP20N60BD1 , IXDP35N60B , IXDR30N120 , IXDR30N120D1 , IXDR35N60BD1 , IXEH25N120 , IXEH25N120D1 , SGT40N60NPFDPN , IXEH40N120D1 , IXEL40N400 , IXEN60N120 , IXEN60N120D1 , IXER20N120 , IXER20N120D1 , IXER35N120D1 , IXER60N120 .

History: KWBW60N65F4EG | NGTB50N120FL2 | TA49052 | BLG3040-D | SKM500GA123S | APT15GP60BDLG | OST60N65HSMF

 

 
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