IXEH40N120 Todos los transistores

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IXEH40N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXEH40N120

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1200V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación: 50

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO247

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IXEH40N120 Datasheet (PDF)

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