Справочник IGBT. IXEH40N120

 

IXEH40N120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXEH40N120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 150 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXEH40N120

 

 

IXEH40N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  ixys
 ixeh40n120 ixeh40n120d1.pdf

IXEH40N120 IXEH40N120

IXEH 40N120IXEH 40N120D1IC25 = 60 ANPT3 IGBTVCES = 1200 VVCE(sat) typ. = 2.4 VC CTO-247 ADG GGEECC (TAB)EIXEH 40N120 IXEH 40N120D1Features IGBT NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V easy paralleling- fast switchingVGES 20 V- short tail cur

Другие IGBT... IXDP20N60B , IXDP20N60BD1 , IXDP35N60B , IXDR30N120 , IXDR30N120D1 , IXDR35N60BD1 , IXEH25N120 , IXEH25N120D1 , IXGH60N60 , IXEH40N120D1 , IXEL40N400 , IXEN60N120 , IXEN60N120D1 , IXER20N120 , IXER20N120D1 , IXER35N120D1 , IXER60N120 .

 

 
Back to Top