CT25ASJ-8 Todos los transistores

 

CT25ASJ-8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CT25ASJ-8
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150(pulse) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: MP3
     - Selección de transistores por parámetros

 

CT25ASJ-8 Datasheet (PDF)

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CT25ASJ-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT25AS-8STROBE FLASHER USECT25AS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm6.50.5 0.15.0 0.241.00.9MAX.0.5 0.22.3 2.30.81 2 3wrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ................................................................................400VICM ..............................................

Otros transistores... CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , GT45F122 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F .

History: HGTD3N60A4S | IXYH40N65C3H1 | IKW40N65F5 | MDI550-12A4 | JNG40T65HYU1 | CM300DU-12F | MII75-12A3

 

 
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