CT25ASJ-8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CT25ASJ-8
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150(pulse) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: MP3
- Selección de transistores por parámetros
CT25ASJ-8 Datasheet (PDF)
ct25as-8.pdf

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT25AS-8STROBE FLASHER USECT25AS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm6.50.5 0.15.0 0.241.00.9MAX.0.5 0.22.3 2.30.81 2 3wrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ................................................................................400VICM ..............................................
Otros transistores... CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , GT45F122 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F .
History: HGTD3N60A4S | IXYH40N65C3H1 | IKW40N65F5 | MDI550-12A4 | JNG40T65HYU1 | CM300DU-12F | MII75-12A3
History: HGTD3N60A4S | IXYH40N65C3H1 | IKW40N65F5 | MDI550-12A4 | JNG40T65HYU1 | CM300DU-12F | MII75-12A3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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