CT25ASJ-8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CT25ASJ-8
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150(pulse) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: MP3
Búsqueda de reemplazo de CT25ASJ-8 - IGBT
CT25ASJ-8 Datasheet (PDF)
ct25as-8.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT25AS-8STROBE FLASHER USECT25AS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm6.50.5 0.15.0 0.241.00.9MAX.0.5 0.22.3 2.30.81 2 3wrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ................................................................................400VICM ..............................................
Otros transistores... CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , YGW40N65F1 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2