Справочник IGBT. CT25ASJ-8

 

CT25ASJ-8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT25ASJ-8
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(pulse) A @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MP3
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CT25ASJ-8 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:28K  mitsubishi
 ct25as-8.pdf pdf_icon

CT25ASJ-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT25AS-8STROBE FLASHER USECT25AS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm6.50.5 0.15.0 0.241.00.9MAX.0.5 0.22.3 2.30.81 2 3wrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ................................................................................400VICM ..............................................

Другие IGBT... CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , GT45F122 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F .

History: ISL9V5036S3 | SKM50GB12V | SKM40GD123D | MMG75WD120XT6TC | KWRFF50R12SWM | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P

 

 
Back to Top

 


 
.