IXER20N120D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXER20N120D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 130 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 29 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS

Encapsulados: ISOPLUS247

 Búsqueda de reemplazo de IXER20N120D1 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXER20N120D1 datasheet

 ..1. Size:342K  ixys
 ixer20n120 ixer20n120d1.pdf pdf_icon

IXER20N120D1

IXER 20N120 IXER 20N120D1 IC25 = 36 A NPT3 IGBT VCES = 1200 V in ISOPLUS247 VCE(sat)typ = 2.4 V C C ISOPLUS247 G G G C Isolated Backside E E E IXER 20N120 IXER 20N120D1 G = Gate C = Collector E = Emitter Features IGBT NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V - positive temperature coefficient for

Otros transistores... IXEH25N120, IXEH25N120D1, IXEH40N120, IXEH40N120D1, IXEL40N400, IXEN60N120, IXEN60N120D1, IXER20N120, FGA60N65SMD, IXER35N120D1, IXER60N120, IXGA12N120A2, IXGA12N120A3, IXGA12N60B, IXGA14N120B, IXGA15N120B2, IXGA16N60B2