IXER20N120D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXER20N120D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 130 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 29 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 100 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXER20N120D1 - IGBT
IXER20N120D1 Datasheet (PDF)
ixer20n120 ixer20n120d1.pdf
IXER 20N120IXER 20N120D1IC25 = 36 ANPT3 IGBTVCES = 1200 Vin ISOPLUS247VCE(sat)typ = 2.4 VC CISOPLUS247G GGC Isolated BacksideEE EIXER 20N120 IXER 20N120D1 G = Gate C = Collector E = EmitterFeaturesIGBT NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage VCES TVJ = 25C to 150C 1200 V - positive temperature coefficient for
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Liste
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