Справочник IGBT. IXER20N120D1

 

IXER20N120D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXER20N120D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 29 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXER20N120D1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXER20N120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  ixys
 ixer20n120 ixer20n120d1.pdf pdf_icon

IXER20N120D1

IXER 20N120IXER 20N120D1IC25 = 36 ANPT3 IGBTVCES = 1200 Vin ISOPLUS247VCE(sat)typ = 2.4 VC CISOPLUS247G GGC Isolated BacksideEE EIXER 20N120 IXER 20N120D1 G = Gate C = Collector E = EmitterFeaturesIGBT NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage VCES TVJ = 25C to 150C 1200 V - positive temperature coefficient for

Другие IGBT... IXEH25N120 , IXEH25N120D1 , IXEH40N120 , IXEH40N120D1 , IXEL40N400 , IXEN60N120 , IXEN60N120D1 , IXER20N120 , GT30F126 , IXER35N120D1 , IXER60N120 , IXGA12N120A2 , IXGA12N120A3 , IXGA12N60B , IXGA14N120B , IXGA15N120B2 , IXGA16N60B2 .

History: ISL9V5036P3 | SPT20N120F1

 

 
Back to Top

 


 
.