CT30SM-12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CT30SM-12
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 135 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de CT30SM-12 - IGBT
CT30SM-12 Datasheet (PDF)
ct30sm-12.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT30SM-12GENERAL INVERTER UPS USECT30SM-12 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm4.515.9MAX.1.5r 3.224.41.0q w e5.45 5.45 0.6 2.84wrq GATEq w COLLECTORVCES ................................................................................600Ve EMITTERIC .........................................................
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Liste
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