CT30SM-12 - аналоги и описание IGBT

 

CT30SM-12 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: CT30SM-12

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 135 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для CT30SM-12

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CT30SM-12 даташит

 ..1. Size:41K  mitsubishi
 ct30sm-12.pdf pdf_icon

CT30SM-12

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT30SM-12 GENERAL INVERTER UPS USE CT30SM-12 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 4.5 15.9MAX. 1.5 r 3.2 2 4.4 1.0 q w e 5.45 5.45 0.6 2.8 4 wr q GATE q w COLLECTOR VCES ................................................................................600V e EMITTER IC .........................................................

Другие IGBT... CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , IRG7R313U , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 .

History: CT20AS-8 | DM2G150SH12A | MII300-12E4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.