Справочник IGBT. CT30SM-12

 

CT30SM-12 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT30SM-12
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 135 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для CT30SM-12

 

 

CT30SM-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  mitsubishi
 ct30sm-12.pdf

CT30SM-12 CT30SM-12

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT30SM-12GENERAL INVERTER UPS USECT30SM-12 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm4.515.9MAX.1.5r 3.224.41.0q w e5.45 5.45 0.6 2.84wrq GATEq w COLLECTORVCES ................................................................................600Ve EMITTERIC .........................................................

Другие IGBT... CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , FGPF4633 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 .

 

 
Back to Top