CT30TM-8 Todos los transistores

 

CT30TM-8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CT30TM-8
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 180(pulse) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

CT30TM-8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  mitsubishi
 ct30tm-8.pdf pdf_icon

CT30TM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT30TM-8STROBE FLASHER USECT30TM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm10.5MAX.2.85.2 3.21.3MAX.0.82.54 2.54 0.5 2.6qwewq GATEq w COLLECTORe EMITTERVCES ............................................................................... 400VeICM .........................................................................

Otros transistores... CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , YGW60N65F1A1 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 .

History: IXGH40N120C3 | APT20GF120KR | IRGSL4B60KD1 | AFGHL40T65SPD | IXGC16N60C2 | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX

 

 
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