CT30TM-8 Todos los transistores

 

CT30TM-8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CT30TM-8
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 180(pulse) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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CT30TM-8 Datasheet (PDF)

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CT30TM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT30TM-8STROBE FLASHER USECT30TM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm10.5MAX.2.85.2 3.21.3MAX.0.82.54 2.54 0.5 2.6qwewq GATEq w COLLECTORe EMITTERVCES ............................................................................... 400VeICM .........................................................................

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History: APT44GA60BD30C

 

 
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