Справочник IGBT. CT30TM-8

 

CT30TM-8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT30TM-8
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180(pulse) A @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CT30TM-8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  mitsubishi
 ct30tm-8.pdf pdf_icon

CT30TM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT30TM-8STROBE FLASHER USECT30TM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm10.5MAX.2.85.2 3.21.3MAX.0.82.54 2.54 0.5 2.6qwewq GATEq w COLLECTORe EMITTERVCES ............................................................................... 400VeICM .........................................................................

Другие IGBT... CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , YGW60N65F1A1 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 .

 

 
Back to Top

 


 
.