CT30TM-8 - аналоги и описание IGBT

 

CT30TM-8 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: CT30TM-8

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180(pulse) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для CT30TM-8

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CT30TM-8 даташит

 ..1. Size:29K  mitsubishi
 ct30tm-8.pdf pdf_icon

CT30TM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT30TM-8 STROBE FLASHER USE CT30TM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 10.5MAX. 2.8 5.2 3.2 1.3MAX. 0.8 2.54 2.54 0.5 2.6 qwe w q GATE q w COLLECTOR e EMITTER VCES ............................................................................... 400V e ICM .........................................................................

Другие IGBT... CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , GT30G124 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 .

History: BUK856-400IZ | DM2G150SH12A | MII300-12E4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.