IXGB200N60B3 Todos los transistores

 

IXGB200N60B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGB200N60B3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 83 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1260 pF
   Paquete / Cubierta: PLUS264
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGB200N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  ixys
 ixgb200n60b3.pdf pdf_icon

IXGB200N60B3

VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGB200N60B3IC110 = 200AMedium speed low Vsat PTVCE(sat) 1.5VIGBTs 5-40 kHz switchingtfi(typ) = 183nsPLUS264TM (IXGB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (limited by leads) 75 AG

Otros transistores... IXGA48N60A3 , IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , CRG60T60AK3HD , IXGB75N60BD1 , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 .

History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1

 

 
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