IXGB200N60B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGB200N60B3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 83 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1260 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 750 nC
Paquete / Cubierta: PLUS264
Búsqueda de reemplazo de IXGB200N60B3 - IGBT
IXGB200N60B3 Datasheet (PDF)
ixgb200n60b3.pdf
VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGB200N60B3IC110 = 200AMedium speed low Vsat PTVCE(sat) 1.5VIGBTs 5-40 kHz switchingtfi(typ) = 183nsPLUS264TM (IXGB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (limited by leads) 75 AG
Otros transistores... IXGA48N60A3 , IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , JT075N065WED , IXGB75N60BD1 , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 .
Liste
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