IXGB200N60B3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGB200N60B3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 83 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1260 pF

Encapsulados: PLUS264

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IXGB200N60B3 datasheet

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IXGB200N60B3

VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGB200N60B3 IC110 = 200A Medium speed low Vsat PT VCE(sat) 1.5V IGBTs 5-40 kHz switching tfi(typ) = 183ns PLUS264TM (IXGB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (limited by leads) 75 A G

Otros transistores... IXGA48N60A3, IXGA48N60B3, IXGA48N60C3, IXGA4N100, IXGA50N60B4, IXGA50N60C4, IXGA7N60BD1, IXGA7N60CD1, IRGP4066D, IXGB75N60BD1, IXGE200N60B, IXGF20N250, IXGF20N300, IXGF25N250, IXGF25N300, IXGF30N400, IXGF32N170