Справочник IGBT. IXGB200N60B3

 

IXGB200N60B3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IXGB200N60B3

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A

Время нарастания: 183

Корпус: PLUS264

Аналог (замена) для IXGB200N60B3

 

 

IXGB200N60B3 Datasheet (PDF)

1.1. ixgb200n60b3.pdf Size:196K _igbt

IXGB200N60B3
IXGB200N60B3

VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGB200N60B3 IC110 = 200A Medium speed low Vsat PT ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 1.5V ≤ ≤ IGBTs 5-40 kHz switching tfi(typ) = 183ns PLUS264TM (IXGB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1 MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V IC25 TC = 25°C (limited by leads) 75 A G

Другие IGBT... IXGA48N60A3 , IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , SGP10N60A , IXGB75N60BD1 , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 .

 

 
Back to Top