IXGB200N60B3 - аналоги и описание IGBT

 

IXGB200N60B3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGB200N60B3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 83 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1260 pF

Тип корпуса: PLUS264

 Аналог (замена) для IXGB200N60B3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGB200N60B3 даташит

 ..1. Size:196K  ixys
 ixgb200n60b3.pdf pdf_icon

IXGB200N60B3

VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGB200N60B3 IC110 = 200A Medium speed low Vsat PT VCE(sat) 1.5V IGBTs 5-40 kHz switching tfi(typ) = 183ns PLUS264TM (IXGB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (limited by leads) 75 A G

Другие IGBT... IXGA48N60A3 , IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IRGP4066D , IXGB75N60BD1 , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.