Справочник IGBT. IXGB200N60B3

 

IXGB200N60B3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGB200N60B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 83 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1260 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 750 nC
   Тип корпуса: PLUS264

 Аналог (замена) для IXGB200N60B3

 

 

IXGB200N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  ixys
 ixgb200n60b3.pdf

IXGB200N60B3 IXGB200N60B3

VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGB200N60B3IC110 = 200AMedium speed low Vsat PTVCE(sat) 1.5VIGBTs 5-40 kHz switchingtfi(typ) = 183nsPLUS264TM (IXGB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (limited by leads) 75 AG

Другие IGBT... IXGA48N60A3 , IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , JT075N065WED , IXGB75N60BD1 , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 .

 

 
Back to Top