IXGB75N60BD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGB75N60BD1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 360 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 57 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 730 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 248 nC
Paquete / Cubierta: PLUS264
Búsqueda de reemplazo de IXGB75N60BD1 - IGBT
IXGB75N60BD1 Datasheet (PDF)
ixgb75n60bd1.pdf
ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONIXGB 75N60BD1VCES = 600 VHiPerFASTTMIC25 = 120 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 2.3 Vtfi = 150 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 264VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VG (TAB)VGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C 120 AG = Gate C = CollectorIC90 TC = 90C75 A
Otros transistores... IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , GT45F122 , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 , IXGF36N300 .
Liste
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