Справочник IGBT. IXGB75N60BD1

 

IXGB75N60BD1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IXGB75N60BD1

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120A

Время нарастания: 150

Корпус: PLUS264

Аналог (замена) для IXGB75N60BD1

 

 

IXGB75N60BD1 Datasheet (PDF)

1.1. ixgb75n60bd1.pdf Size:57K _igbt

IXGB75N60BD1
IXGB75N60BD1

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION IXGB 75N60BD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IC25 = 120 A IGBT with Diode VCE(sat) = 2.3 V tfi = 150 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 264 VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V G (TAB) VGEM Transient ±30 V C E IC25 TC = 25°C 120 A G = Gate C = Collector IC90 TC = 90°C75 A

Другие IGBT... IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , GT60M301 , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 , IXGF36N300 .

 

 
Back to Top