IXGB75N60BD1 - аналоги и описание IGBT

 

IXGB75N60BD1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGB75N60BD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 57 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 730 pF

Тип корпуса: PLUS264

 Аналог (замена) для IXGB75N60BD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGB75N60BD1 даташит

 ..1. Size:57K  ixys
 ixgb75n60bd1.pdf pdf_icon

IXGB75N60BD1

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION IXGB 75N60BD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IC25 = 120 A IGBT with Diode VCE(sat) = 2.3 V tfi = 150 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 264 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G (TAB) VGEM Transient 30 V C E IC25 TC = 25 C 120 A G = Gate C = Collector IC90 TC = 90 C75 A

Другие IGBT... IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , SGT60U65FD1PT , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 , IXGF36N300 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.