IXGE200N60B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGE200N60B
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 680 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 350 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS227
Búsqueda de reemplazo de IXGE200N60B - IGBT
IXGE200N60B Datasheet (PDF)
ixge200n60b.pdf
IXGE 200N60B VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIC25 = 160 AVCE(sat) = 2.3 Vtfi = 160nsEISOPLUS 227TM (IXGE)E Symbol Test Conditions Maximum Ratings GVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 160 A CIL Terminal Current Limit(RMS) 100 A G = Gate, E = Emitter, C = CollectorIC9
Otros transistores... IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , IXGB75N60BD1 , TGAN20N135FD , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 , IXGF36N300 , IXGH100N30B3 .
Liste
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