IXGE200N60B Todos los transistores

 

IXGE200N60B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGE200N60B
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 680 pF
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS227
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGE200N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  ixys
 ixge200n60b.pdf pdf_icon

IXGE200N60B

IXGE 200N60B VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIC25 = 160 AVCE(sat) = 2.3 Vtfi = 160nsEISOPLUS 227TM (IXGE)E Symbol Test Conditions Maximum Ratings GVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 160 A CIL Terminal Current Limit(RMS) 100 A G = Gate, E = Emitter, C = CollectorIC9

Otros transistores... IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , IXGB75N60BD1 , CRG40T60AK3HD , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 , IXGF36N300 , IXGH100N30B3 .

History: APTGF90TA60P | SSM20G45EGJ | FD400R65KF1-K | SGM200HF12A3TFD | IXA20PT1200LB | APTGT200DA170D3 | IXGM40N60

 

 
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