Справочник IGBT. IXGE200N60B

 

IXGE200N60B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGE200N60B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 680 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 350 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS227

 Аналог (замена) для IXGE200N60B

 

 

IXGE200N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  ixys
 ixge200n60b.pdf

IXGE200N60B IXGE200N60B

IXGE 200N60B VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIC25 = 160 AVCE(sat) = 2.3 Vtfi = 160nsEISOPLUS 227TM (IXGE)E Symbol Test Conditions Maximum Ratings GVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 160 A CIL Terminal Current Limit(RMS) 100 A G = Gate, E = Emitter, C = CollectorIC9

Другие IGBT... IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , IXGB75N60BD1 , TGAN20N135FD , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 , IXGF36N300 , IXGH100N30B3 .

 

 
Back to Top