Справочник IGBT. IXGE200N60B

 

IXGE200N60B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IXGE200N60B

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 175A

Время нарастания: 160

Корпус: ISOPLUS227

Аналог (замена) для IXGE200N60B

 

 

IXGE200N60B Datasheet (PDF)

1.1. ixge200n60b.pdf Size:519K _igbt

IXGE200N60B
IXGE200N60B

IXGE 200N60B VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IC25 = 160 A VCE(sat) = 2.3 V tfi = 160ns E ISOPLUS 227TM (IXGE) E Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V E IC25 TC = 25°C 160 A C IL Terminal Current Limit(RMS) 100 A G = Gate, E = Emitter, C = Collector IC9

Другие IGBT... IXGA48N60C3 , IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , IXGB75N60BD1 , GT40T301 , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 , IXGF36N300 , IXGH100N30B3 .

 

 
Back to Top