IXGF36N300 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGF36N300

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 185 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 123 pF

Encapsulados: ISOPLUS-I4-PAK

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IXGF36N300 datasheet

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IXGF36N300

VCES = 3000V High Voltage IGBT IXGF36N300 IC25 = 36A For Capacitor Discharge Applications VCE(sat) 2.7V ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V 1 2 Isolated Tab VGES Continuous 20 V 5 VGEM Transient 30 V 1 = Gate 5 = Collector IC25 TC = 25 C 36 A 2 = Emitter IC110 TC =

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IXGF36N300

High Voltage IGBT VCES = 4000V IXGF30N400 For Capacitor Discharge IC25 = 30A Applications VCE(sat) 3.1V ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 4000 V VGES Continuous 20 V 1 2 Isolated Tab VGEM Transient 30 V 5 IC25 TC = 25 C 30 A 1 = Gate 5 = Collector IC110 TC = 110 C 15 A

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IXGF36N300

VCES = 1700V High Voltage IGBT IXGF32N170 IC110 = 19A VCE(sat) 3.5V ( Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 250ns ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V 1 2 VGES Continuous 20 V 5 VGEM Transient 30 V ISOLATED TAB IC25 TC = 25 C 44 A IC110 TC = 110 C 19 A ICM TC = 25 C, 1ms 200 A 1 = Gate 5 = Col

Otros transistores... IXGB75N60BD1, IXGE200N60B, IXGF20N250, IXGF20N300, IXGF25N250, IXGF25N300, IXGF30N400, IXGF32N170, TGAN60N60F2DS, IXGH100N30B3, IXGH100N30C3, IXGH10N170, IXGH10N170A, IXGH10N300, IXGH120N30B3, IXGH120N30C3, IXGH12N120A3