IXGF36N300 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGF36N300
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 185 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 123 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 136 nC
Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAK
Аналог (замена) для IXGF36N300
IXGF36N300 Datasheet (PDF)
ixgf36n300.pdf

VCES = 3000VHigh Voltage IGBT IXGF36N300IC25 = 36AFor Capacitor DischargeApplicationsVCE(sat) 2.7V( Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 V12Isolated TabVGES Continuous 20 V5VGEM Transient 30 V1 = Gate 5 = CollectorIC25 TC = 25C 36 A2 = EmitterIC110 TC =
ixgf30n400.pdf

High Voltage IGBT VCES = 4000VIXGF30N400For Capacitor DischargeIC25 = 30AApplicationsVCE(sat) 3.1V( Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 4000 VVGES Continuous 20 V12Isolated TabVGEM Transient 30 V5IC25 TC = 25C 30 A1 = Gate 5 = CollectorIC110 TC = 110C 15 A
ixgf32n170.pdf

VCES = 1700VHigh Voltage IGBT IXGF32N170IC110 = 19AVCE(sat) 3.5V( Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 250nsISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 V12VGES Continuous 20 V5VGEM Transient 30 VISOLATED TABIC25 TC = 25C 44 AIC110 TC = 110C 19 AICM TC = 25C, 1ms 200 A1 = Gate 5 = Col
Другие IGBT... IXGB75N60BD1 , IXGE200N60B , IXGF20N250 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 , RJH60F5DPQ-A0 , IXGH100N30B3 , IXGH100N30C3 , IXGH10N170 , IXGH10N170A , IXGH10N300 , IXGH120N30B3 , IXGH120N30C3 , IXGH12N120A3 .
History: IRG7PH35UD1-EP
History: IRG7PH35UD1-EP



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50