CT35SM-8 Todos los transistores

 

CT35SM-8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CT35SM-8
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200(pulse) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

CT35SM-8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  mitsubishi
 ct35sm-8.pdf pdf_icon

CT35SM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT35SM-8STROBE FLASHER USECT35SM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm4.515.9MAX.1.5r 3.224.41.0q w e5.45 5.45 0.6 2.84wrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTORVCES ................................................................................400VeICM ....................................................

Otros transistores... CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , IHW20N135R5 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 .

History: AUIRGP35B60PD | SKM50GB063D | FD400R65KF1-K | NCE75ED120VTP4 | IXA20PT1200LB | APTGT200DA170D3 | IXGM40N60

 

 
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