CT35SM-8 - аналоги и описание IGBT

 

CT35SM-8 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: CT35SM-8

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для CT35SM-8

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CT35SM-8 даташит

 ..1. Size:31K  mitsubishi
 ct35sm-8.pdf pdf_icon

CT35SM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT35SM-8 STROBE FLASHER USE CT35SM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 4.5 15.9MAX. 1.5 r 3.2 2 4.4 1.0 q w e 5.45 5.45 0.6 2.8 4 wr q GATE q w COLLECTOR e EMITTER r COLLECTOR VCES ................................................................................400V e ICM ....................................................

Другие IGBT... CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , IHW20N135R5 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 .

History: IXSH20N60U1 | IXSH15N120B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.