Справочник IGBT. CT35SM-8

 

CT35SM-8 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT35SM-8
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200(pulse)
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для CT35SM-8

 

 

CT35SM-8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  mitsubishi
 ct35sm-8.pdf

CT35SM-8 CT35SM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT35SM-8STROBE FLASHER USECT35SM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm4.515.9MAX.1.5r 3.224.41.0q w e5.45 5.45 0.6 2.84wrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTORVCES ................................................................................400VeICM ....................................................

Другие IGBT... CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , SGT40N60FD2PN , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 .

History: TT075U065FQB

 

 
Back to Top