Справочник IGBT. CT35SM-8

 

CT35SM-8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT35SM-8
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CT35SM-8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  mitsubishi
 ct35sm-8.pdf pdf_icon

CT35SM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT35SM-8STROBE FLASHER USECT35SM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm4.515.9MAX.1.5r 3.224.41.0q w e5.45 5.45 0.6 2.84wrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTORVCES ................................................................................400VeICM ....................................................

Другие IGBT... CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , IHW20N135R5 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 .

History: NGTB30N120FL2WG | IGB50N60T | FD400R65KF1-K | MMG150Q120B6HN | IXA20PT1200LB | APTGT200DA170D3 | IXGM40N60

 

 
Back to Top

 


 
.