CT40TMH-8 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CT40TMH-8
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200(pulse) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Encapsulados: TO220F
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CT40TMH-8 datasheet
ct40tmh-8.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT40TMH-8 STROBE FLASHER USE CT40TMH-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 10.5MAX. 2.8 5.2 3.2 1.3MAX. 0.8 2.54 2.54 0.5 2.6 qwe w q GATE q w COLLECTOR e EMITTER VCES ................................................................................400V e ICM .......................................................................
Otros transistores... CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , RJH30E2DPP , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 .
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