CT40TMH-8 - аналоги и описание IGBT

 

CT40TMH-8 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: CT40TMH-8

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для CT40TMH-8

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CT40TMH-8 даташит

 ..1. Size:31K  mitsubishi
 ct40tmh-8.pdf pdf_icon

CT40TMH-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT40TMH-8 STROBE FLASHER USE CT40TMH-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 10.5MAX. 2.8 5.2 3.2 1.3MAX. 0.8 2.54 2.54 0.5 2.6 qwe w q GATE q w COLLECTOR e EMITTER VCES ................................................................................400V e ICM .......................................................................

Другие IGBT... CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , RJH30E2DPP , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 .

History: IXSH15N120B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.