Справочник IGBT. CT40TMH-8

 

CT40TMH-8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT40TMH-8
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CT40TMH-8

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CT40TMH-8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  mitsubishi
 ct40tmh-8.pdf pdf_icon

CT40TMH-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT40TMH-8STROBE FLASHER USECT40TMH-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm10.5MAX.2.85.2 3.21.3MAX.0.82.54 2.54 0.5 2.6qwewq GATEq w COLLECTORe EMITTERVCES ................................................................................400VeICM .......................................................................

Другие IGBT... CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , YGW60N65F1A1 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.