CT60AM-18B IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CT60AM-18B
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 125 pF
Encapsulados: TO3PL
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CT60AM-18B datasheet
ct60am-18b.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT60AM-18B RESONANT INVERTER USE CT60AM-18B OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 3.2 4 wr q w q e VCES ............................................................................... 900V r IC .........................................................................................60A e Integrated Fast Recovery Diode TO-3PL
ct60am-18f.pdf
MITSUBISHI Nch IGBT MITSUBISHI Nch IGBT CT60AM-18F CT60AM-18F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 5 20MAX. 2 3.2 2 1 0.5 3 5.45 5.45 4.0 VCES ............................................................................... 900V IC ...........................................
Otros transistores... CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , IKW50N60T , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 .
History: APT50GF60B2RD | IRGS4620D | APT50GF60HR
History: APT50GF60B2RD | IRGS4620D | APT50GF60HR
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