Справочник IGBT. CT60AM-18B

 

CT60AM-18B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT60AM-18B
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 125 pF
   Тип корпуса: TO3PL
 

 Аналог (замена) для CT60AM-18B

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CT60AM-18B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  mitsubishi
 ct60am-18b.pdf pdf_icon

CT60AM-18B

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT60AM-18BRESONANT INVERTER USECT60AM-18B OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 3.24wrq w qe VCES ............................................................................... 900Vr IC .........................................................................................60AeIntegrated Fast Recovery DiodeTO-3PL

 5.1. Size:82K  mitsubishi
 ct60am-18f.pdf pdf_icon

CT60AM-18B

MITSUBISHI Nch IGBTMITSUBISHI Nch IGBTCT60AM-18FCT60AM-18FINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm520MAX.23.221 0.535.45 5.454.0 VCES ............................................................................... 900V IC ...........................................

 7.1. Size:460K  mitsubishi
 ct60am-20.pdf pdf_icon

CT60AM-18B

Другие IGBT... CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , MBQ50T65FDSC , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.