CT60AM-18F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CT60AM-18F
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 180
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 900
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 25
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 60
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.1
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 115
Paquete / Cubierta: TO3PL
Búsqueda de reemplazo de CT60AM-18F - IGBT
CT60AM-18F Datasheet (PDF)
ct60am-18f.pdf
MITSUBISHI Nch IGBTMITSUBISHI Nch IGBTCT60AM-18FCT60AM-18FINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm520MAX.23.221 0.535.45 5.454.0 VCES ............................................................................... 900V IC ...........................................
ct60am-18b.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT60AM-18BRESONANT INVERTER USECT60AM-18B OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 3.24wrq w qe VCES ............................................................................... 900Vr IC .........................................................................................60AeIntegrated Fast Recovery DiodeTO-3PL
Otros transistores... CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , NGD8201N , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ | TT060U065FB | TT060U060EQ | TT050U065FBC | TT050U065FB | TT050K065FQ