CT60AM-18F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CT60AM-18F  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 115 pF

Encapsulados: TO3PL

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CT60AM-18F IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CT60AM-18F datasheet

 ..1. Size:82K  mitsubishi
 ct60am-18f.pdf pdf_icon

CT60AM-18F

MITSUBISHI Nch IGBT MITSUBISHI Nch IGBT CT60AM-18F CT60AM-18F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 5 20MAX. 2 3.2 2 1 0.5 3 5.45 5.45 4.0 VCES ............................................................................... 900V IC ...........................................

 5.1. Size:42K  mitsubishi
 ct60am-18b.pdf pdf_icon

CT60AM-18F

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT60AM-18B RESONANT INVERTER USE CT60AM-18B OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 3.2 4 wr q w q e VCES ............................................................................... 900V r IC .........................................................................................60A e Integrated Fast Recovery Diode TO-3PL

 7.1. Size:460K  mitsubishi
 ct60am-20.pdf pdf_icon

CT60AM-18F

Otros transistores... CT25ASJ-8, CT30SM-12, CT30TM-8, CT30VM-8, CT30VS-8, CT35SM-8, CT40TMH-8, CT60AM-18B, IHW20N135R5, CT60AM-20, CT75AM-12, CY20AAJ-8, CY25AAJ-8, VBGN40N120, VBGN40N60, VBGN50N60, VBGT15N120