CT60AM-18F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: CT60AM-18F

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 50

Емкость коллектора (Cc), pf: 4400pF

Корпус: TO3PL

Аналог (замена) для CT60AM-18F

CT60AM-18F Datasheet (PDF)

1.1. ct60am-18f.pdf Size:23K _mitsubishi

MITSUBISHI Nch IGBT CT60AM-18F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 5 20MAX. 2 ?3.2 2 1 0.5 3 5.45 5.45 4.0 VCES ............................................................................... 900V IC .........................................................................................60A GATE Simple drive COLLECTOR EMITTER In

Другие IGBT... CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , IKW50N60T , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , G10N40 , G10N40C1 , G10N40E1 , G10N50 .