CT60AM-18F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CT60AM-18F
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 115 pF
Тип корпуса: TO3PL
Аналог (замена) для CT60AM-18F
CT60AM-18F Datasheet (PDF)
ct60am-18f.pdf
MITSUBISHI Nch IGBTMITSUBISHI Nch IGBTCT60AM-18FCT60AM-18FINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm520MAX.23.221 0.535.45 5.454.0 VCES ............................................................................... 900V IC ...........................................
ct60am-18b.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT60AM-18BRESONANT INVERTER USECT60AM-18B OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 3.24wrq w qe VCES ............................................................................... 900Vr IC .........................................................................................60AeIntegrated Fast Recovery DiodeTO-3PL
Другие IGBT... CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , IKW30N60H3 , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2