Справочник IGBT. CT60AM-18F

 

CT60AM-18F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT60AM-18F
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 180
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 900
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 100
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 115
   Тип корпуса: TO3PL

 Аналог (замена) для CT60AM-18F

 

 

CT60AM-18F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  mitsubishi
 ct60am-18f.pdf

CT60AM-18F CT60AM-18F

MITSUBISHI Nch IGBTMITSUBISHI Nch IGBTCT60AM-18FCT60AM-18FINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm520MAX.23.221 0.535.45 5.454.0 VCES ............................................................................... 900V IC ...........................................

 5.1. Size:42K  mitsubishi
 ct60am-18b.pdf

CT60AM-18F CT60AM-18F

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT60AM-18BRESONANT INVERTER USECT60AM-18B OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 3.24wrq w qe VCES ............................................................................... 900Vr IC .........................................................................................60AeIntegrated Fast Recovery DiodeTO-3PL

 7.1. Size:460K  mitsubishi
 ct60am-20.pdf

CT60AM-18F CT60AM-18F

Другие IGBT... CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , NGD8201N , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 .

 

 
Back to Top