CT60AM-20 Todos los transistores

 

CT60AM-20 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CT60AM-20
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PL
     - Selección de transistores por parámetros

 

CT60AM-20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  mitsubishi
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CT60AM-20

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CT60AM-20

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT60AM-18BRESONANT INVERTER USECT60AM-18B OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 3.24wrq w qe VCES ............................................................................... 900Vr IC .........................................................................................60AeIntegrated Fast Recovery DiodeTO-3PL

 7.2. Size:82K  mitsubishi
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CT60AM-20

MITSUBISHI Nch IGBTMITSUBISHI Nch IGBTCT60AM-18FCT60AM-18FINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm520MAX.23.221 0.535.45 5.454.0 VCES ............................................................................... 900V IC ...........................................

Otros transistores... CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , SGT60N60FD1P7 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P .

History: FB20R06W1E3_B11 | 7MBR50VP060-50 | BSM200GB60DLC | IXGH30N60B2 | APTGF25DDA120T3 | HGT1S7N60B3D | IXGH2N250

 

 
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