CT60AM-20 - Аналоги. Основные параметры
Наименование: CT60AM-20
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF
Тип корпуса: TO3PL
Аналог (замена) для CT60AM-20
Технические параметры CT60AM-20
ct60am-18b.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT60AM-18B RESONANT INVERTER USE CT60AM-18B OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 3.2 4 wr q w q e VCES ............................................................................... 900V r IC .........................................................................................60A e Integrated Fast Recovery Diode TO-3PL
ct60am-18f.pdf
MITSUBISHI Nch IGBT MITSUBISHI Nch IGBT CT60AM-18F CT60AM-18F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 5 20MAX. 2 3.2 2 1 0.5 3 5.45 5.45 4.0 VCES ............................................................................... 900V IC ...........................................
Другие IGBT... CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CRG60T60AK3HD , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet




