CT75AM-12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CT75AM-12
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 265 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
Paquete / Cubierta: TO3PL
Búsqueda de reemplazo de CT75AM-12 - IGBT
CT75AM-12 Datasheet (PDF)
ct75am-12.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT75AM-12GENERAL INVERTER UPS USECT75AM-12 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm520MAX.2 3.24211 2 30.535.45 5.454.0wrVCES ............................................................................... 600Vq GATEqw COLLECTORIC ..............................................................................
Otros transistores... CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , SGT50T65FD1PN , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P , VBGT15N135 .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2