Справочник IGBT. CT75AM-12

 

CT75AM-12 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT75AM-12
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 265 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
   Тип корпуса: TO3PL

 Аналог (замена) для CT75AM-12

 

 

CT75AM-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  mitsubishi
 ct75am-12.pdf

CT75AM-12 CT75AM-12

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT75AM-12GENERAL INVERTER UPS USECT75AM-12 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm520MAX.2 3.24211 2 30.535.45 5.454.0wrVCES ............................................................................... 600Vq GATEqw COLLECTORIC ..............................................................................

Другие IGBT... CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , SGT50T65FD1PN , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P , VBGT15N135 .

 

 
Back to Top