IXGH85N30C3 Todos los transistores

 

IXGH85N30C3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH85N30C3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 333 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.64 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 34 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 310 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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Principales características: IXGH85N30C3

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IXGH85N30C3

Preliminary Technical Information VCES = 300V IXGH85N30C3 GenX3TM 300V IGBT IC110 = 85A VCE(sat) 1.9V High Speed PT IGBTs for tfi typ = 70ns 50-150kHz switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 300 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) E VGEM Transient 30

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