IXGH85N30C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGH85N30C3  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 333 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.64 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 34 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 310 pF

Encapsulados: TO247

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IXGH85N30C3 datasheet

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IXGH85N30C3

Preliminary Technical Information VCES = 300V IXGH85N30C3 GenX3TM 300V IGBT IC110 = 85A VCE(sat) 1.9V High Speed PT IGBTs for tfi typ = 70ns 50-150kHz switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 300 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) E VGEM Transient 30

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