IXGH85N30C3 Todos los transistores

 

IXGH85N30C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGH85N30C3

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 300

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.9

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 420

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación: 70

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO247

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IXGH85N30C3 Datasheet (PDF)

1.1. ixgh85n30c3.pdf Size:102K _ixys

IXGH85N30C3
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Preliminary Technical Information VCES = 300V IXGH85N30C3 GenX3TM 300V IGBT IC110 = 85A ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 1.9V ≤ ≤ High Speed PT IGBTs for tfi typ = 70ns 50-150kHz switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXGH) VCES TJ = 25°C to 150°C 300 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 300 V G VGES Continuous ±20 V C (TAB) E VGEM Transient ±30

Otros transistores... IXGH60N60C3D1 , IXGH64N60A3 , IXGH64N60B3 , IXGH6N170 , IXGH6N170A , IXGH72N60A3 , IXGH72N60B3 , IXGH72N60C3 , SGH80N60UFD , IXGH90N60B3 , IXGI48N60C3 , IXGJ40N60C2D1 , IXGJ50N60B , IXGJ50N60C4D1 , IXGK100N170 , IXGK120N120A3 , IXGK120N120B3 .

 

 
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